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甩開英特爾台積明年Q1建10奈米試產線

Aug 25th 2014, 00:19

業界傳出，台積電除加速南科廠16奈米產能布建，也決定在明年第1季於中科建置10奈米試產線，透露台積電將以中科作為10奈米生產重鎮，並加快試產腳步，拉開與英特爾、三星等勁敵的差距。

台積電並未對相關傳聞置評。設備商透露，受制於設備大廠艾斯摩爾（ASML）極紫外光（EUV）技術輸出率仍未達量產需求，台積電10奈米仍會以浸潤式機台進行多重曝光方式，作為顯影核心設備，並集中於12吋晶圓廠生產。

10奈米製程被台積電視為「最關鍵的一役」，台積電董事長張忠謀稍早透露，台積電短期恐在16奈米市占略為落後輸競爭對手，不過，台積電有信心很快搶回市占率，並積極導入10奈米等更先進的製程，預定明年下半年完成產品設計定案。

張忠謀當時說，台積電2013年開始進行10奈米技術開發，10奈米技術將是繼16奈米FinFET（鰭式場效電晶體）及強效版製程16 FinFET+之後的第三代FinFET製程，效能與密度將是業界第一。

台積電對內宣示，10奈米是「非贏不可的一戰」，一定要做到比英特爾好，因此由張忠謀親自督軍，並號名近400 位研發人員成立「夜鷹計畫」，讓10奈米研發無縫接軌、縮短學習曲線。

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