作者jgwihi ( )
看板Tech_Job
標題[討論] 能蝕刻出高深寬比的DRIE設備
時間Thu Jan 1 20:16:37 2015
請問一下 DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反應式離子蝕刻)設備 它可以在矽基板蝕刻出具有高深寬比，及良好垂直側壁 但如果想要在整片Wafer蝕刻出來的結果，深度要維持一致性 例如蝕刻深度要200μm，但整片wafer不同位置蝕刻的深度誤差要控制在1μm以下 即199μm~201μm之間，目前做出來的結果不容易達到， 側壁也能達到幾乎接近90° 請問有什麼設備機台，或是有更高階的設備，或產學單位可以達到這樣的規格要求呢？ 謝謝。 補充：或是有蝕刻設備的廠商也請提供。目前知道辛耘。 -- --
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.227.217.90 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1420114602.A.D87.html
→ outzumin: ICP? lower pressure+higher plasma density 01/01 20:23
推 deepee258: 3DIC嗎？ 01/01 20:26
→ jgwihi: ICP有用到SF6、 C4F8，DRIE用到SF6、 C4F8,3DIC或MEMS 01/01 20:31
※ 編輯: jgwihi (61.227.217.90), 01/01/2015 20:34:39
推 lewecool: 你要咬tsv的via嗎 01/01 21:00
→ jgwihi: TSV的via也是，用DRIE來蝕刻Trench,要放入其他component 01/01 21:04
→ jgwihi: TSV之後會用到 01/01 21:06
推 sianous: 要看選擇的氣體跟停止層金屬 01/01 21:07
→ sianous: 機台應該不難找人，如AMAT 01/01 21:08
→ jgwihi: 氣體用SF6蝕刻，C4F8鈍化，停止層的金屬待確認 01/01 21:09
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